关于横向项目招标报名的通知
发布时间: 2022-05-23 浏览次数: 268

各位老师:

现面向各学院,发布横向项目招标信息。项目信息如下:  

 

编号项目名称技术要求课题经费(万RMB)提交材料
1SIMO架构三路输出BUCK调制模块无需基准、偏置、OSC等模块,只完成核心调制器部分的电路设计,采用纯低压工艺10调制器的器件级电路图
2纯数字真随机数发生器采用纯数字电路设计一个32位真随机数,要求可通过NIST SP 800-22验证10Verilog、设计仿真报告、验证报告
32MSPS 12bit SAR ADC5V工艺,无失真分辨率12bit,DNL≤±2LSB,INL±1.5LSB15器件级电路图,设计仿真报告
4LIN总线接口模块分析与设计LIN总线收发模块,端口耐压-27~40V,可实现符合LIN总线标准的收发码功能。10器件级电路图,设计仿真报告
5250MHz带宽高速运放5V工艺,工作电流<3.5mA,开环增益>100dB,增益带宽积典型值达到250MHz10器件级电路图,设计仿真报告
6CAN2.0总线支持CAN 2.0标准帧和扩展帧的接收和发送15Verilog、设计仿真报告
7USB2.0/1.1 通用串行总线USB2.0/1.1全速总线控制电路,支持控制、中断、批量和同步4种端点传输模式10Verilog、设计仿真报告
8USB2.0/1.1 PHYUSB2.0/1.1全速PHY电路,要求内置时钟同步恢复模块10器件级电路图,设计仿真报告
924bit Delta-Sigma ADC5V工艺,采样率1KHz,SNR>110dB,有限位数>20bit20器件级电路图,设计仿真报告
10工业级高压运算放大器工作电压36V,开环增益110dB,轨到轨10器件级电路图,设计仿真报告
110.18um工艺40V SCR结构ESD研究基于0.18um主流工艺,开发SCR结构的ESD器件,面积<60um*60um,HBM过4KV5设计方法,版图gds文件

 

   

请有意向承接以上项目的老师,向科研处邓科老师报名(邮箱:09045@gench.edu.cn,报名信息中,请包含承接项目老师姓名,职称,学历,学院,承接项目编号,预计完成时间。招标截止时间为66日,欢迎各位老师积极报名。

与企业的进一步沟通将在66日完成信息汇总后,做进一步安排。

  

  

 科研处

 2022年5月23日